東京電子最近宣佈自己旗下的等離子體蝕刻系統的開發和製造基地，已經開發出一種創新的通孔蝕刻技術，用於堆疊超過400層的先進3D NAND快閃記憶體晶片。開發團隊的新工藝首次將電介質蝕刻應用帶入低溫範圍，從而打造了一個具有極高蝕刻率的系統。目前國內長江儲存在有先進裝置的支援下，可以做到232層堆疊，而東京電子新的蝕刻技術，則可能讓未來的快閃記憶體晶片在效能和容量上踏入一個新的臺階。
據悉這項新的蝕刻技術，可以在短短半小時內完成10微米深度的高縱橫比蝕刻，縮減了耗時，而且蝕刻結構的幾何形狀相當明顯，也有助於製造更高容量的3D NAND快閃記憶體晶片。東京電子也釋出了蝕刻後的相關影像，包括蝕刻後通孔圖案的橫截面SEM影象，以及孔底的FIB切割影象，另外還有東京電子的3D NAND快閃記憶體晶片的案例。
不過東京電子的蝕刻技術大機率是無法在國內引入的，因為按照之前美國的半導體管控，先進的NAND堆疊技術是無法出口到中國的，包括裝置也是如此。所以國內的長江儲存現在產能也因此受到了不小的影響。而東京電子也有很多技術和裝置因為半導體管控而無法輸入到國內，所以很顯然這個蝕刻技術以及相應的裝置，暫時是無法進入國內的。
據2023年6月發表的一篇關於該裝置的論文稱，東京電子的新型蝕刻機可以在極低的溫度下進行超快蝕刻。據稱，該蝕刻機可以在33分鐘內蝕刻10微米。
業內訊息人士稱，東京電子還將使用由新鐳射製成的氣體以及氬氣和氟化碳氣體。訊息人士稱，該蝕刻機受到晶片製造商的好評，他們可能會批次購買這些裝置。三星從去年開始就對這款新型蝕刻機進行測試，其正在考慮從第十代之後的NAND晶片開始使用該裝置。
訊息人士還稱，泛林集團認為，當該蝕刻機開始發貨時，其市場份額可能會被東京電子奪去10%~15%。
