據俄羅斯媒體cnews報道，俄羅斯工業和貿易部已下達開發200毫米直徑晶圓製造裝置的任務，用於生產拓撲結構從180奈米到90奈米的晶片。這項工作獲得了超過17億盧布(約1773萬美元)的資助。此舉是部門逐步構建俄羅斯本土光刻生產線的一部分。
俄羅斯本土化晶片製造
俄羅斯工業和貿易部委託開發的這種半導體裝置，用於對二氧化矽、鎢和銅介電層進行化學機械拋光（CMP）。為此，撥款17億盧布。這臺裝置將用於在200毫米直徑矽片上製造180奈米至90奈米的晶片。
根據技術任務書，裝置的國外功能原型是由美國應用材料公司（Applied Materials）生產的MIRRA Mesa Integrated System 200。工業和貿易部代表透露，裝置的主要使用方包括Mikron和“НМ-ТЕХ”工廠，以及其他使用化學機械拋光（CMP）工藝的企業。
“化學機械拋光是電子元件生產中的關鍵工藝之一，”工業和貿易部表示，“裝置的開發屬於電子機械製造綜合發展計劃的一部分，該計劃不僅涵蓋光刻工藝，還旨在逐步研發貫穿電子元件生產全過程的關鍵裝置：從半導體矽片的製造到晶片的分離。”
開發計劃與功能
工作預計於2028年11月30日完成，招標於11月11日啟動，執行方將在12月10日確定。這項工作是俄羅斯國家科學技術發展計劃的一部分。
新裝置將執行以下工藝：
- 平面化具有拓撲結構的二氧化矽介電層；
- 清洗矽片；
- 測量介電層厚度。
平面化是消除半導體矽片表面不平整的過程，對後續如離子注入等製造步驟至關重要。正如獨立專家兼RUSmicro Telegram頻道作者阿列克謝·博伊科所指出，均勻的表面對於確保離子精確分佈和後續製造步驟非常重要。
平面化是消除半導體矽片表面不平整的過程，對後續如離子注入等製造步驟至關重要。正如獨立專家兼RUSmicro Telegram頻道作者阿列克謝·博伊科所指出，均勻的表面對於確保離子精確分佈和後續製造步驟非常重要。
“CMP裝置開發是建立本土生產裝置以實現晶片製造生產線的一部分，”博伊科補充道。
根據任務書，裝置元件和材料必須為本土生產，以避免對外國製造商的關鍵依賴。
俄羅斯微電子領域的技術推進
工業和貿易部正在進行大規模工作，推動俄羅斯國內裝置生產，包括材料、裝置製造以及微電子生產的加強和現代化。例如：
2023年3月，工業和貿易部撥款超過20億盧布，用於開發生產晶片所需材料；
2024年9月，啟動招標開發矽片儲存容器的清洗和乾燥裝置，預算為4.768億盧布；
2024年11月，撥款4億盧布，用於輕摻雜單晶矽片生產技術，計劃到2027年實現每年生產10萬片，且成本與同類進口產品相當；
撥款近5億盧布，用於開發光刻機調整裝置，預計在2027年第二季度完成。
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