1分鐘640奈米！等離子體讓3D NAND快閃記憶體蝕刻效率翻倍

快科技2月5日訊息，3D NAND快閃記憶體的設計和製造非常依賴儲存單元堆疊，由此可以大幅增加儲存密度與容量，降低成本。

最近，來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校、美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室(PPPL)的眾多科學家聯合設計了一種新的蝕刻工藝。

該方法使用氟化氫等離子體，將矽材料垂直通道的蝕刻效率提高了一倍，只需1分鐘即可蝕刻640奈米。

其中的關鍵是在氧化矽和氮化矽交替層上刻孔，並將分層材料暴露在等離子體形式的化學物質中，讓等離子體中的原子與分層材料中的原子相互作用，從而蝕刻出孔洞通道。

研究還發現，結合三氟化磷等特定化學材料，可以進一步改進蝕刻工藝。

另外，一些副產品會影響蝕刻效率，但是隻需加入水，就能解決這一問題，比如水能讓鹽在低溫下分解，從而加速蝕刻。