三星對3奈米GAA工藝的最初良率目標是70% 結果實際不到1/3

3nm GAA工藝在推出時間上可能已經擊敗了臺積電的3nm"N3B"變體，但如果不能在客戶向這家韓國巨頭下訂單有意義的地方提高良品率，那麼這將沒有多大意義。 有傳言稱，晶圓代工廠為其第一代和第二代 3nm GAA 節點設定的良品率目標是 70%，但三星尚未達到這一門檻，這也解釋了為什麼三星未能為這項技術吸引到新客戶 。

事實上，有傳言稱第二代 3 奈米 GAA 的良率非常低，甚至連預期目標的三分之一都沒有達到。

yeux1122 的部落格文章披露了三星第一代和第二代 3nm GAA 工藝目前的良品率，情況並不樂觀。 該公司已經得到了其第一代 3nm 技術（也稱為"SF3E-3GAE"）的一些表現資料，其良品率在 50%-60% 之間。 雖然這一數字更接近最初的 70% 目標，但三星仍需要達到更高水平，客戶才有理由下訂單購買這種光刻技術。

高通 Snapdragon 8 Elite 完全採用臺積電的 3 奈米"N3E"架構進行量產的一個重要原因是三星因良率低而失去了高通的訂單。 至於第二代 3 奈米工藝，良品率更差，僅為可怕的 20%，不到三星最初目標的三分之一。 在現階段，該公司不太可能因為未能取得任何合理的進展而獲得任何同情者，就連之前向三星下訂單的韓國公司也轉向臺積電陣營，購買其更成熟的節點。

從目前的情況來看，3 奈米 GAA 技術是三星的心腹大患，這也是三星將資源和人才重點轉向 2 奈米節點的原因。 此前有報道稱，三星正在"SF2P"技術上開發一款未命名的 Exynos 晶片組，代號為"Ulysses"，該晶片將於 2027 年在 Galaxy S27 的一款機型上亮相。 簡而言之，三星可能已經找到了另一條生命線，因此它更應該充分利用這次機會。