1月30日訊息，已宣佈即將於2月18日至2月22日在美國舊金山舉行的IEEE國際固態電路會議（ISSCC）上，介紹其280層堆疊的3D QLC NAND Flash，這將是迄今為止儲存資料密度最高的新型3D QLC NAND Flash。
根據三星即將演講的主題《A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm² Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate》來觀察，其280層堆疊的1Tb QLC 3D QLC NAND快閃記憶體將具有以下特性：
首先，該280層3D NAND Flash將是由280層的儲存單元垂直堆疊而成，這進一步提高了儲存的密度。
其次，其單顆晶片容量達到了1Tb，即1024 G bit。
第三，“4b / cell”是指每個儲存單元可以儲存4個二進位，即每資料佔用0.25個儲存單元。
第四，“28.5Gb / mm²” 指的是“儲存密度”，即每平方毫米麵積的儲存單元可儲存28.5Gb資料，這個儲存密度可謂是極高。
第五，“3.2GB/s High-Speed 10 Rate”是指該快閃記憶體晶片讀取資料的最高速度為3.2GB/s，High-Speed 10 Rate可能指的是某種特定的介面標準或傳輸協議。
根據三星此前曝光的PPT來看，其QLC NAND V9快閃記憶體可以提供最高8TB的M.2硬碟，I/O速度超過單個晶片2.4Gbps，原始效能可與當今TLC快閃記憶體直接競爭。但具體上市產品表現如何，則仍需要後續的持續觀察。
編輯：芯智訊-林子
