長鑫儲存申請磁隨機儲存器及其製備方法專利，可提升儲存單元的排布密度

金融界2024年2月9日訊息，據國家智慧財產權局公告，長鑫儲存技術有限公司申請一項名為“磁隨機儲存器及其製備方法“，公開號CN117545280A，申請日期為2022年8月。

專利摘要顯示，本申請提供一種磁隨機儲存器及其製備方法，涉及半導體儲存技術領域，用於解決磁隨機儲存器的儲存單元的排布密度小的技術問題。所述磁隨機儲存器包括襯底，所述襯底具有多個有源區，每個有源區設定有第一控制開關，第一控制開關包括形成在有源區的第一柵極、第一漏極及源極，其中第一柵極與寫入字線連線；多個儲存單元，每個儲存單元包括自旋軌道耦合層、磁性隧道結，自旋軌道耦合層配置為分別與位線、第一漏極連線；第二控制開關包括PN接面，第二控制開關用於連線讀取字線和磁性隧道結。本申請實施例中透過第一控制開關和第二控制開關對儲存器的讀、寫路徑分別控制，可減少讀操作時控制開關的佔用面積，進而可提升儲存單元的排布密度。

本文源自金融界