EUV光刻機生產晶片的能耗將很快達到創紀錄的水平

極紫外光刻技術是近年來最複雜的技術創新之一。 極紫外光刻裝置對於生產更小、更強大的微晶片至關重要，但其耗電量巨大。 更糟糕的是，它們對電力的渴求預計在未來幾年只會大幅增長。

根據 TechInsights 最近的一份報告，到 2030 年，配備 EUV 工具的晶圓廠每年的耗電量將超過54000 千兆瓦時 (GWh)。 從這個角度來看，這比新加坡或希臘等小國的總用電量還要多。

荷蘭公司 ASML 是目前世界上唯一一家生產 EUV 光刻機的製造商，這種工具需要大量的投資和努力才能整合到晶片製造操作中。 在臺灣、韓國、日本、美國、德國和愛爾蘭等國家和地區，都有使用 EUV 系統進行大批次生產的工廠。

當前一代 EUV 工具的功耗高達 1170 千瓦，而下一代High-NA EUV 光刻機的功耗預計將達到 1400 千瓦左右。

TechInsights 目前列出了 31 家採用 EUV 裝置進行晶片製造的工廠，預計到 2030 年底還將有 28 家工廠投入使用。

雖然 EUV 光刻機耗電量很大，但只佔整個晶片製造廠總能耗的 11%。 到 2030 年，59 家配備 EUV 功能的晶片製造廠預計每年將消耗 54000 千兆瓦的電力，相當於拉斯維加斯大道所需電力的 19 倍。

隨著全球晶圓代工企業迅速採用 EUV 機器，TechInsights 警告說，這一趨勢將對環境產生重大影響。

該報告還為晶片製造巨頭們提供了潛在的有用建議，因為他們很快就將面臨持續創新與重大能源影響之間的十字路口。 報告指出，該行業應加大對節能技術和可再生能源的投資力度。 儘管重開關閉已久的核電站似乎不是最環保的選擇，但有關這一問題的討論仍在繼續。