中國半導體領域又迎來重大突破！
武漢一家科技公司推出的T150 A光刻膠產品，現在已經通過了量產驗證，7nm以上工藝全覆蓋。這也意味著中國在晶片製造方面，終於將關鍵材料掌握在了自己手中，徹底打破了國外壟斷！
那麼我國在光刻膠技術方面，現在是否已經達到了世界一流水平？
和美西方發達國家，是否還存在差距？
1.國產光刻膠透過量產驗證
什麼是光刻膠呢？這是一種晶片製造過程中，所要使用到的聚合物薄膜材料。
在光刻過程中發生聚合或者是解聚反應，從而把圖案留在矽片上。
在國際上，日本的光刻膠技術最強，早在上世紀六七十年代，日本就已經擁有了光刻機的自主智慧財產權，並將核心技術牢牢握在手中，率先創立了光刻膠行業的技術壁壘，有隨著日本光刻膠的商業化，最終實現了產業壁壘。
值得一提的是，我國在光刻膠領域的研究，實際上早期並沒有落後日本。
1962年，中國科學院就委託北京化工廠去研究光刻膠了，1967年，中國第一個KPR型負性光刻膠投產，之後三年裡，我國又陸續研發出多種光刻膠。並且在1972年，我國甚至還造出了第一臺光刻機。
可以說，我國早期在半導體領域的發展，不能說技術方面世界領先，但和發達國家的差距，頂多也就是幾年而已，絕對不會像現在這樣有著幾十年的差距。
那麼我國既然起步早，早期技術研發進展也很不錯，為何後面就逐漸落後了呢？
拿光刻膠來說，這是因為日本巨頭壟斷了最先進的光刻膠技術後，對配方和原材料都建立了行業壁壘，再加上我國當時發展較為落後，科研人員不足、研發資金也短缺，國內市場規模非常小，極大限制了我國早期在半導體領域的發展，所以後面咱們就逐漸落後了。
這些年，隨著我國在半導體領域不斷取得突破，日本巨頭為了避免被我國趕超，也開始對我國進行制裁封鎖，例如在去年，日本就限制了23種半導體制造裝置的對華出口。
而我國在半導體領域，裝置和耗材的主要進口渠道就是日本，無疑日本這麼做，就是為了將中國半導體行業的發展給徹底扼殺掉。
在這其中，如果我國還想要自主研發晶片，就離不開光刻膠，也是在這個背景下，中國企業奮起直追，現在終於到了揚眉吐氣的時候，隨著國產光刻膠透過量產驗證，以後7nm以上晶片的製程工藝，咱們就再也不用擔心被國外給“卡脖子”了。
2.中國光刻膠和日本還有多大差距？
不過現在國外最先進的光刻膠製程工藝，已經達到了3nm，並且在未來10年內，還有望實現1nm，所以我國光刻膠與日本的差距還非常大，而且接下來我國企業最難的一步，就是實現3nm製程的光刻膠，如果可以打破技術瓶頸，那麼日後中國光刻膠達到全球一流水平，甚至是領先水平，就只剩下時間問題了。
此外光有國產光刻膠也沒有用，還要看國產化率，以及市場佔有率，同時我國若是想要徹底打破國外對半導體行業的壟斷，我國還是要造出先進的光刻機來。
全球現在的五大光刻膠生產商，其中4家都來自日本，他們手握全球70%以上的市場份額。
而我國的國產光刻膠全球市場佔比不足5%，即使在國內市場，佔比也不足25%。
所以短期內國內的光刻膠市場，仍然要依賴日本進口。
更何況光研發出來了光刻膠也不夠，還要建立光刻膠的產業鏈，像日本光刻膠技術之所以那麼強大，就是因為日本早在上世紀70年代，就打造了完整的光刻膠產業鏈，國內的上下游產業沒有環節缺失，都可以進行深度合作。
而在這裡，另一個困擾我國半導體領域發展的難點，就是一定要造出先進的光刻機。
現階段，我國光刻機的國產化率不足3%，雖然前段時間我國有企業造出了DUV光刻機，但與荷蘭阿斯麥的差距還非常大。
因此想要實現整個產業鏈的技術突破，用一句話來總結，還是任重道遠。
不過再難也要堅持，否則若是再度放棄了，那麼在這一領域，怕就要永遠被“卡脖子”了。
