介面速度5.6 GT/s、超400層！三星將推出第10代V-NAND快閃記憶體

快科技12月5日訊息，據媒體報道，即將在國際固態電路會議（ISSCC）上展示其最新的第10代超過400層3D NAND Flash，介面速度可達5.6 GT/s。

三星的這一新一代V-NAND保持了TLC（三級單元，或每個單元3位）架構，每個晶片的容量為1Tb（128GB）。

三星聲稱，其新的超400層3D TLC NAND Flash的儲存密度達到了28 Gb/mm²，略低於其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²，後者是目前世界上儲存密度最高的NAND Flash。

此外，三星第10代V-NAND的介面速度達到5.6 GT/s，明顯快於長江儲存的3.6 GT/s。

在5.6 GT/s的速度下，相當於約700 MB/s的資料傳輸速率，意味著其中10個裝置可以使PCIe4.0 x4介面飽和，而20個足以使超快的PCIe5.0x4介面飽和。

三星計劃在ISSCC 10上推出第10代V-NAND，因此很可能在明年開始批次生產這種NAND Flash，只是尚不清楚新何時會進入三星自己的SSD。