考慮到現代設計對SRAM（靜態隨機存取儲存器）的高度依賴，SRAM單元的大小和密度成為了新制造技術的關鍵特性。
根據ISSCC 2025預先發布的計劃，18A製造工藝（1.8奈米級）的SRAM密度明顯低於臺積電N2（2奈米級），而更接近臺積電的N3。不過，英特爾的18A可能在其他方面具有重大優勢。
英特爾的18A製造工藝採用了高密度SRAM位單元，尺寸為0.021微平方米（從而實現約31.8Mb/mm²的SRAM密度），與英特爾4代中0.024微平方米的高密度SRAM位單元相比有了顯著提升，但與臺積電的N3E和N5相當。相比之下，臺積電的N2製造技術將高密度SRAM位單元尺寸縮小至約0.0175微平方米，實現了38Mb/mm²的SRAM密度。
18A和N2都採用了環繞柵極（GAA）電晶體，但與英特爾不同，臺積電在其依賴鰭式場效電晶體（FinFET）的前代技術基礎上，成功地將高密度SRAM位單元尺寸大幅縮小。值得注意的是，除了SRAM位單元尺寸外，SRAM的另一個關鍵特性是功耗，而我們目前尚不清楚18A和N2在這一指標上的對比情況。
談及英特爾的18A，該節點相比其前代產品具有兩大優勢：GAA電晶體和背面供電網路（BSPDN）。BSPDN不僅有望改善對電晶體的供電，從而提高某些設計的效能效率，還能使設計師設計出更小的晶片，從而提高邏輯密度。
儘管現代晶片設計大量使用SRAM，且其密度對於節點間的縮放至關重要，但邏輯密度比高密度SRAM（HDC SRAM）密度更為重要。目前，我們還無法比較英特爾18A和臺積電N2在這一指標上的表現。此外，邏輯密度難以估算，因為每種工藝技術都有高密度、高效能和低功耗的庫，這些庫通常會在單個設計中混合使用。至於抽象處理器的邏輯密度，英特爾和臺積電尚未公佈相關資料。
在現代工藝技術中，最難縮放的是SRAM密度，這歸因於其設計的複雜性、穩定性和可靠性的執行要求，以及在更小節點上增加的變異性。因此，某些現代技術相比其他生產節點具有更大的SRAM單元尺寸也就不足為奇了。
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