臺積電試產2nm工藝：效果優於預期，良品率超過60%

由於在3nm製程節點率先使用Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體後，一直被良品率問題困擾，不少人擔心臺積電（TSMC）在2nm製程節點引入新的電晶體架構也會面臨相同的困境。不過隨著2nm工藝量產工作的推進，臺積電似乎變得越來越有信心。

據Wccftech報道，臺積電已經對2nm工藝進行了試產，良品率超過了60%。起步階段就有這麼高的良品率，效果超出了大家的預期，而且還要很大的上升空間，臺積電可能會以更快的速度完成挑戰，將良品率提升至70%以上，為2nm工藝大規模量產留出足夠的時間。

臺積電董事長兼執行長魏哲家在今年10月時曾表示，未來五年內臺積電有望實現連續、健康的增長，客戶對於2nm的詢問多於3nm，看起來更受客戶的歡迎。2nm不但能複製3nm的成功，甚至有超越的勢頭。

為了應對市場對2nm工藝技術的強勁需求，臺積電持續對該製程節點進行投資，不但加快了2nm產線的建設，並進一步擴大了產能規劃。預計臺積電2025年資本支出將再次飆升，達到340億至380億美元之間，有機會超過2022年創造的362.9億美元峰值。

臺積電計劃N2工藝於2025年下半年進入量產階段，客戶最快在2026年前就能收到首批採用N2工藝製造的晶片，首個客戶預計是蘋果。