訊息稱三星電子 HBM3E 記憶體效能未達要求，年內難以向英偉達供應

IT之家 12 月 11 日訊息，韓媒 hankooki 當地時間昨日表示，電子由於 8 層、12 層堆疊 HBM3E 記憶體樣品效能未達英偉達要求，難以在今年內正式啟動向這家大客戶的供應，實際供貨將落到 2025 年。

報道表示，三星電子早在 2023 年 10 月就開始向供應 HBM3E 記憶體的質量測試樣品，但一年多的時間內三星 HBM3E 的認證流程並未取得明顯進展。

韓媒援引訊息人士的觀點稱，由於 SK 海力士在 HBM3E 上的領先地位，實際上為這一型別的利基記憶體確定了效能引數標準，而三星電子的 HBM3E 在發熱和功耗等效能引數上無法滿足英偉達的要求。

據悉，三星電子的 HBM3E 未能得到英偉達供應許可，主要因素並非與 SK 海力士採用了不同的鍵合工藝。

IT之家注： SK 海力士在 HBM3E 上使用了批量回流模製底部填充 MR-RUF 鍵合技術，而三星電子與美光則都是 TC-NCF 熱壓非導電薄膜。