IT之家 1 月 30 日訊息，2024 年 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC）將於 2 月 18 日至 22 日在舊金山舉行，是世界學術界和企業界公認的積體電路設計領域最高級別會議。
根據會議公開內容：屆時將展示其 GDDR7 記憶體以及280 層 3D QLC NAND 快閃記憶體等技術，其中 GDDR7 IT之家此前已有相關報道，而 280 層 QLC 快閃記憶體將成為迄今為止資料密度最高的新型 NAND 快閃記憶體技術。
從三星給出的主題“A 280-Layer 1Tb 4b / cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb / mm2 Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed 10 Rate”來看，其 280 層 1Tb QLC 快閃記憶體具有如下特徵：
280 層 1Tb 4b / cell 3D-NAND 快閃記憶體：
——280 層：指該快閃記憶體晶片由 280 層儲存單元垂直堆疊而成，從而提高了儲存密度。
——1Tb：指該快閃記憶體晶片的儲存容量密度為 1024 G bit。
——4b / cell：指每個儲存單元可以儲存 4 個二進位制位，即每位元資料佔用 0.25 個儲存單元，進一步提高了儲存密度。
——3D-NAND：指該快閃記憶體採用 3D 堆疊技術，透過垂直堆疊儲存單元來增加儲存密度。
28.5Gb / mm2 面密度：指每平方毫米儲存單元可儲存 28.5Gb 資料，表明其儲存密度極高。
3.2GB/s High-Speed 10 Rate：指該快閃記憶體晶片讀取資料的最高速度為 3.2GB/s，High-Speed 10 Rate 可能指的是某種特定的介面或傳輸協議。
IT之家注：Gb即兆位（G bit），是密度單位，與 GB（G Byte）不同。就目前已公開技術來看，三星280 層 1Tb QLC 快閃記憶體的密度和速率均處於領先位置，但量產時間未知。
美光三星西數 / 鎧俠SK 海力士長江儲存QLC 方案232 層 QLC280 層 QLC162 層 QLC176 層 QLC232 層 QLC單位密度 mm219.5 Gb28.5 Gb13.86 Gb14.40 Gb20.62 GbDie 容量1 Tb1 Tb1 Tb512 GbN/A下一代釋出日期?2024212 層 (未知)238 層 (2024)未公開
根據三星 PPT 來看，QLC NAND V9 快閃記憶體可以實現最高 8TB 的 M.2 硬碟，IO 速度超過 2.4Gbps（單個晶片），原始效能可與當今 TLC 快閃記憶體直接競爭，但具體上市產品表現如何仍待觀察。
