IT之家 2 月 17 日訊息，縮小電晶體尺寸對於持續提升晶片效能至關重要，半導體行業從未停止探索縮小電晶體尺寸的方法。
ASML 首席技術官 Martin van den Brink 在 2022 年 9 月接受採訪時表示，光刻技術經過數十年的創新發展之後，High-NA EUV 可能走到了該技術的盡頭。
ASML 經過 1 年多的探索，有種“船到橋頭自然直，柳暗花明又一村”的突破，Brink 在《2023 年度報告》中提出了 Hyper-NA EUV 概念，有望 2030 年問世。
IT之家翻譯 Brink 在《報告》中內容如下：
NA 高於 0.7 的 Hyper-NA 無疑是新機遇，將成為 2030 年之後的新願景。Hyper-NA 和邏輯電路息息相關，成本比 High-NA EUV 雙重曝光（Double Patterning）更低，也為 DRAM 帶來新機遇。 而對於 ASML 來說，Hyper-NA 可以推動我們的整體 EUV 能力平臺，以改善成本和交付週期。Low-NA EUV
ASML 現有的 Low-NA EUV 光刻工具孔徑數值（NA）為 0.33，線寬 / 關鍵尺寸（CD）為 13.5nm，單次曝光下能夠產生最小 26nm 的金屬間距、25-30nm 的 T2T（針尖對針尖，切割線末端之間的距離）互連間距，足以生產 4nm / 5nm 工藝的晶片。
而 3nm 工藝需要 T2T 互連間距縮短到 21-24nm，臺積電的 N3B 工藝技術使用 Low-NA EUV 光刻工具，透過雙重曝光的方式，來儘可能地縮短間距，因此成本大幅提升。
High-NA EUV
ASML 近期開始向英特爾交付的 High-NA EUV 的孔徑數值為 0.55，其線寬為 8nm，理論上可以列印最小 8nm 的金屬間距產品，對於 3nm 工藝來說非常有用，在雙重曝光下甚至可以生產 1nm 晶片。
ASML 的 High-NA Twinscan EXE 光刻機代表了該公司技術的巔峰，每臺裝置重達 150,000 公斤，相當於兩架空客 A320 客機，需要 250 個集裝箱運輸，運到客戶手裡後還要再由 250 名工程師花費六個月的時間組裝。
Hyper-NA EUV
金屬間距在 1nm 之後會非常更小，因此 ASML 需要更先進的工具，這也引出了 Hyper-NA EUV 概念。
Brink 在接受 Bits & Chips 採訪時證實，公司正在研究 Hyper-NA 技術的可行性，不過，目前還沒有做出最終決定。
ASML 正在調查開發 Hyper NA 技術，繼續推進各項光刻指標，其中 NA 數值將超過 0.7，預計在 2030 年左右完成。
提高投影光學器件的數值孔徑背後不僅需要付出高昂的成本，而且需要重新設計光刻工具，意味著在 High-NA EUV 基礎上可能還要再擴大尺寸，而且需要開發新的元件，成本不可避免地上漲。
根據微電子研究中心 (IMEC) 的路線圖，2030 年左右應該能推進到 A7 0.7nm 工藝，之後還有 A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm。
IT之家查詢 ASML 公司資料，一臺 Low-NA EUV Twinscan NXE 機器售價起步 1.83 億美元，如果需要其它配置還需要額外加錢。
而一臺 High-NA EUV Twinscan EXE 工具的起步價格為 3.8 億美元，可以預見 Hyper-NA 的起步價格會更高，甚至可能翻倍。
