據報道，AMD 正在兩個不同的代工節點上製造即將推出的"Zen 5"和"Zen 5c"CPU核心晶片（CCD），為即將推出的Ryzen"Granite Ridge"桌上型電腦處理器、"Fire Range"移動處理器和EPYC"Turin"伺服器處理器提供基礎的Zen 5 CCD將在4奈米EUV代工節點上製造，這一節點比該公司目前製造"Zen 4"CCD的5奈米EUV節點稍先進一些。
另一方面，"Zen 5c"CCD，或高密度配置純"Zen 5c"核心的晶片組，將在更先進的 3 奈米 EUV 代工節點上製造。這兩種 CCD 都將在 2024 年第二季度投入量產，預計下半年推出產品。
"Zen 5c"晶片組擁有龐大的 32 個核心，分佈在兩個各有 16 個核心的 CCX 中。每個 CCX 有 16 個核心，共享 32 MB 三級快取。這 32 個核心每個都有 1 MB 的二級快取，總共 64 MB 的三級快取，這就是 AMD 轉向 3 奈米代工節點的原因。
另一個原因可能是電壓，"Zen 5c"核心可以被看成"Zen 5"的高度緊湊型變體，它的工作電壓帶低於其較大的兄弟型號，但 IPC 或指令集沒有任何變化。
採用 3 納米制程的決定可能是為了在較低的電壓下提高時鐘速度，以便在 IPC 和核心數量之外，利用時鐘速度提高效能。
採用"Zen 5c"晶片組的EPYC處理器將採用不超過 6 個這樣的大型 CCD，最大核心數為 192 個。普通的"Zen 5"CCD 在單個 CCX 中僅有 8 個核心，核心之間共享 32 MB L3 快取記憶體；TSV 提供 3D 垂直快取記憶體，以便在特殊型號中增加 L3 快取記憶體。
在AMD Zen 5架構平臺中，最關鍵的核心運算晶片是由臺積電以3納米制程製造。此外，HPC 平臺 MI300 系列也已投入量產，採用臺積電的 4 奈米和 5 奈米工藝。訂單勢頭有增無減，臺積電今年從 AMD獲得的先進製程訂單勢頭非常強勁。
業內分析認為，3 奈米工藝的量產需要相對較長的時間。據估計，AMD 新的 3nm 工藝 Zen 5 架構平臺將在第二季度左右進入晶圓量產階段。屆時，產能有望逐月提升。
目前，關於 AMD Zen 5 核心架構的資訊還不是很多，但從該公司的官方宣告來看，它將提供更多的功能：
提高效能和效率
前端重新管道化和寬幅問題
整合人工智慧和機器學習最佳化
