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來源：內容綜合自UDN等，謝謝。
美國商務部日前拍板補助臺積電亞利桑那州廠（TSMC Arizona）66億美元設立三座晶圓廠，並依據完工情況支付補助金。其中，TSMC Arizona第三廠（Fab 3）規劃先進製程除2奈米外，A16奈米片（Nanosheet）製程赫然在列。
TSMC Arizona總投資規模上看650億美元（約新臺幣2.11兆元），第一座4奈米晶圓廠2025年上半年開始生產，第二座2納米制程晶圓廠，將採下一世代奈米片電晶體結構技術，預計2028年量產。第三座晶圓廠將在21世紀20年代底採用2奈米或更先進製程技術生產。
臺積電董事長暨總裁魏哲家在美商務部新聞稿中，首度以Accelerate（加速）說明美國佈局，邁入美國《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）這個階段，對強化美國半導體生態系統是很關鍵的一步，此次協議簽署將助力我們發展在美國境內最先進半導體制造技術。
臺積電表示，TSMC Arizona位處美國境內（Onshoring）半導體制造最前線，對提升美國競爭力和其在5G/6G及AI時代的領導地位，是至關重要的角色。
「美國製造」成顯學，業界認為補助一出，將全速推進美國最先進半導體制程發展。
臺積電A16被視為強化版2奈米，惟加入超級電軌（Super Power Rail）全新電晶體架構，意謂又一關鍵技術將複製到美國廠。
從臺積電迭代製程演進觀察，4/5納米制程2020年量產，與明年美國第一廠量產間隔五年；若第二廠開始包含2奈米米，預定2028年量產，與表定臺灣2025年量產僅間隔三年，追趕時間差縮短，A16擬2026年量產，將投放美國廠，但臺灣屆時應已推進至A14，最先進仍留臺灣。
知情人士透露，到年底美商務部至少向臺積電發放10億美元，更嚴格的監管也隨之而來。美商務部檔案載明，臺積電除非特殊情況，否則五年內不得回購股票；如果專案獲利情況超過預期，申請人需在達到約定的門檻後向政府返還一定比例資金，相當於領取分紅。該部分指子公司TSMC Arizona，估計對母公司影響不大。
臺積電10個工廠，同時開建
地緣政治議題延燒，臺積電衝刺全球佈局，2025年包含在建與新建廠案，海內外蓋廠總數衝十個，不僅是公司歷來頭一遭，更寫下全球半導體業同時推進十個廠建置的新紀錄，並推升公司明年資本支出恢復高年成長走勢。
法人估，臺積電2025年資本支出可望達340億美元至380億美元（約新臺幣1.1兆元至1.2兆元），挑戰歷史新高。對於2025年資本支出相關議題，臺積電公關處回應，公司尚未公佈2025年資本支出規劃，有關資本支出說明，請以公司公開資訊為主。至於2024年資本支出則以10月法說會中的說明為主。
業界盤點，臺積電2025年全球新建與持續建設廠區高達十個。其中，臺灣在建與新建廠有七個，為最大宗，涵蓋先進製程晶圓廠與先進封裝廠。
臺灣七個在建與新建廠包括新竹與高雄為2奈米量產基地持續推進，兩地各有兩座，共計四個廠。先進封裝方面，包含購自群創南科廠定名為AP8的廠區、中科持續擴產CoWoS，以及嘉義先進封裝CoWoS與SoIC投資，合計三個廠。
海外方面，2025年將同步推進美、日、歐三地建廠，包含官方已預告日本熊本二廠興建工程計畫於2025年第1季開始，目標2027年量產；美國晶圓21廠第二座廠，以及德國德勒斯登特殊製程新廠持續推進建設等。
資料顯示，臺積電2022年至2023年平均每年蓋五個廠；2024年預計蓋七個廠，包含三個晶圓廠、兩個封裝廠，以及海外兩個廠。 2025年在建與新建廠案，海內外蓋廠總數衝十個，將是破紀錄頭一遭，也是全球半導體業界首見。
臺積電先前在年度技術論壇上提到，海內外產能擴充等相關佈局，都是為了滿足與支援客戶所需。
由於2025年共有在建與新建十個廠同時進行，也讓臺積電2025年資本支出看增。臺積電資本支出歷史新高落在2022年，當時以362.9億美元改寫紀錄。
臺積電為未來做好準備
臺積電對 EUV 和High NA EUV 技術的投資有望塑造半導體制造的未來。這些鉅額投資將使生產功能越來越強大、效率越來越高的晶片，以用於廣泛的應用。
據《韓國商業》報道，臺積電預計將於 2024 年 9 月從荷蘭製造商 ASML獲得其首臺高數值孔徑 (high-NA) 極紫外 (EUV) 光刻系統“EXE:5000”。儘管媒體對確切交付日期的報道各不相同——有些報道暗示將於今年年底在臺積電的新竹研發中心安裝——但確切的時間表並不像更廣泛的影響那麼重要。
關鍵點在於臺積電對這項尖端技術的立場不斷演變。該公司最初持謹慎態度，現在已全面採用高數值孔徑 EUV 光刻技術，以在競爭激烈的晶片行業中保持領先地位，而該行業對面向 AI 的超精細工藝的需求正在迅速增長。
採用高數值孔徑 EUV 掃描器對於臺積電開發 2 奈米以下工藝至關重要。這些先進系統將數值孔徑從 0.33 提高到 0.55，從而實現更高的解析度和更精確的半導體晶圓圖案化。
臺積電計劃將High NA EUV掃描器納入其1.4nm（A14）工藝，該工藝預計於2027年投入量產。
然而，這些先進的光刻系統不會立即投入使用。在將它們整合到大批次生產之前，還需要進行嚴格的測試、微調和工藝最佳化。
等到這些系統全面投入運營時，臺積電預計將發展到 A10 節點，這意味著其技術能力將比目前提升幾代。這一時間表與臺積電推進晶片製造工藝的更廣泛路線圖相一致。
在臺積電 2024 年第三季度財報電話會議上，首席財務官黃文德爾概述了公司的節點開發計劃。他表示：“我們將在 2026 年推出 N2。推出 N2 也會有一些準備成本。隨著我們遷移每個領先節點，越來越先進，這種準備成本將變得越來越大。”
每臺High NA EUV 系統的價格約為 3.84 億美元。儘管如此，臺積電在High NA EUV 方面的技術領先地位預計將吸引更多尋求尖端晶片製造能力的知名客戶。這可能會進一步拉大臺積電與其競爭對手之間的差距，尤其是三星電子，後者需要在獲得High NA EUV 裝置方面迎頭趕上。
臺積電已經憑藉當前的 EUV 技術建立了堅實的基礎。該公司在 EUV 方面的征程始於 2019 年，當時推出了 N7+ 工藝，標誌著業界首個商業 EUV 光刻工藝。此後，臺積電迅速擴充套件了其 EUV 能力，2019 年至 2023 年間 EUV 系統數量增長了 10 倍。
該公司目前佔據全球 EUV 安裝基數的 56%。這家晶圓代工巨頭繼續在後續工藝中利用 EUV，包括 N5 和 N3。
業內估計，臺積電在 2019 年推出 N7+ 工藝時運營著約 10 臺 EUV 系統。臺積電在 2022 年收購了 84 臺 EUV 系統，2023 年則將收購 100 多臺。
臺積電採用 EUV 的方法是系統化的，並以客戶為中心。該公司會根據新技術創新的成熟度、成本和潛在的客戶利益，仔細評估這些創新，然後再將其整合到量產中。該公司告訴The Register： “臺積電計劃首先引進High NA EUV 掃描器進行研發，以開發客戶所需的相關基礎設施和圖案化解決方案，從而推動創新。”
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