中芯國際申請半導體結構的形成方法專利，減小邏輯運算器件的氧化工藝對快閃記憶體器件的影響

金融界2024年11月28日訊息，國家智慧財產權局資訊顯示，積體電路製造(北京)有限公司和中芯國際積體電路製造(上海)有限公司申請一項名為“半導體結構的形成方法”的專利，公開號CN 119031712 A，申請日期為2023年5月。

專利摘要顯示，一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括儲存區和邏輯區；在所述儲存區形成相互分立且成對存在的儲存柵結構，成對的所述儲存柵結構之間具有第一開口，各儲存柵結構包括位於襯底上的浮柵、位於所述浮柵上的控制柵介質層和位於所述控制柵介質層上的控制柵，所述第一開口暴露出至少部分浮柵的側壁表面；在所述第開口暴露出的浮柵表面以及控制柵表面形成隧穿介質層；在所述隧穿介質層表面形成保護層；在形成保護層之後，採用氧化工藝在所述邏輯區表面形成柵極氧化層。所述半導體結構的形成方法減小了邏輯運算器件的氧化工藝對快閃記憶體器件的影響，減少了結構缺陷，提升了快閃記憶體器件的效能穩定性。

本文源自：金融界

作者：情報員