摩根士丹利表示，下一代Rubin GPU已提前半年開始準備，預計推出時間將從2026年上半年提前至2025年下半年。由於用上3nm技術、CPO（共同封裝光學元件）和HBM4（第六代高頻寬記憶體），新一代GPU的芯片面積將是上一代Blackwell的兩倍，預計相關產業鏈公司將受益。
大摩分析師Charlie Chan在12月2日的報告中表示，雖然Blackwell晶片的產出仍在增長，考慮到新晶片的複雜性，臺積電和供應鏈已在為英偉達下一代Rubin晶片的推出做準備。3nm的Rubin GPU預計將在2025年下半年進入流片階段，較之前預定時間提前半年左右。
大摩表示，由於3nm工藝的遷移、CPO和HBM4的採用，Rubin將是一款強大的晶片。根據供應鏈調查，Rubin的晶片尺寸將是Blackwell的近兩倍，Rubin晶片可能包含四個計算晶片，是Blackwell的兩倍。
分析師目前預計，由於芯片面積變大，臺積電將在2026年進一步擴充套件其CoWoS（Chip on Wafer Substrate）產能。公司預計將在2025年中期開始向裝置供應商下達2026年訂單，具體取決於AI資本支出的可持續性。
供應鏈方面，分析師認為ASMPT在Rubin的TCB工具認證上略有滯後。TCB（熱壓焊接）是Rubin GPU的CoW（Chip on Wafer）所需的工藝。K&S此前宣佈，已於11月收到臺積電的無焊料TCB訂單用於CoW，而ASMPT表示仍在與臺積電進行CoW認證的溝通。
大摩認為，ASMPT仍有機會在今年年底前完成認證，並且對於公司裝置低量採購可能會在2025年下半年實現。行業調查顯示，臺積電首批關於CoW無焊料TCB的訂單透過K&S訂購的工具較少，預計2025年將不到10臺。隨著Rubin GPU預計將在2026年進入量產，訂單量可能會在2026年增大。
新GPU帶來的另一結構性機會在於測試時間的延長。大摩分析師表示，目前Blackwell（測試時間比Hopper長三倍）和MI355（長兩倍）都需要更長的測試時間。由於需求強勁，新的Advantest測試儀的交貨期從3個月延長至6個月。
從長遠來看，一些AI專用積體電路（ASIC），如AWS的3nm AI加速器，可能開始進行燒機測試，根據供應鏈調查，Blackwell的全部最終測試將繼續在KYEC進行，預計到2025年，B200/300（雙晶片版本）的出貨量可能會達到約500萬臺，基於臺積電的CoWoS-L產能。
