中芯國際申請影象感測器畫素結構及其形成方法專利，能夠保證器件結構效能

金融界2024年12月5日訊息，國家智慧財產權局資訊顯示，積體電路製造(北京)有限公司、中芯國際積體電路製造(上海)有限公司申請一項名為“影象畫素結構及其形成方法”的專利，公開號 CN 119069489 A，申請日期為2023年5月。

專利摘要顯示，一種影象感測器畫素結構及其形成方法，其中結構包括：半導體襯底；位於半導體襯底內的感光層；位於半導體襯底內且位於感光層上的隔離層；位於半導體襯底內的第一柵極結構，第一柵極結構延伸至感光層內；位於半導體襯底內且位於隔離層上的儲存層；位於半導體襯底內的第一隔離結構。感光層、隔離層和儲存層位於半導體襯底內的不同深度，因此在減小畫素結構尺寸的同時，能夠保證感光層的面積佔比，以此保證器件結構的效能。透過第一柵極結構能夠實現感光層的電子垂直傳輸，提高電荷傳輸效率。同時第一柵極結構可直接與感光層接觸，使得第一隔離結構能夠採用深溝絕緣材料隔離形式形成，有效解決了相鄰畫素結構之間的感光層之間發生電子串擾問題。

本文源自：金融界

作者：情報員