日本Nikkan Kogyo Shimbun（日刊工業新聞）報道說，Rapidus 將在兩個尖端半導體生產基地安裝總共十臺 "極紫外（EUV）曝光工具"。這意味著日本政府推動半導體產業的力度再度加強，目標是讓 Rapidus 趕超臺積電等公司。
其 2 nm 級工藝節點將於 2027 年在目前正在建設中的 "創新整合製造一號"（IIM-1）工廠投入執行。 去年 12 月日本迎來了第一臺 ASML NXE:3800E EUV 光刻機，這標誌著該技術在日本的首次部署。
《日刊工業新聞》的報道援引了 Rapidus 執行長小池淳義的講話，根據這位老闆的說法，10 臺新機器將分佈在兩個製造工廠：上述的 IIM-1 和 IIM-2。 第二個工廠預計將在 IIM-1 建成後不久投入使用。
目前尚不清楚代工廠是否會安裝更多的 ASML NXE:3800E 光刻機，也沒有透露確切的時間框架。 《日經新聞》的一篇較早的文章指出，將於 4 月（2025 年）左右在 Rapidus 的晶圓廠開始試執行，採用 2 奈米一代全柵極 (GAA) 技術。 根據推測的時間表，首批樣品將於今年年中運往美國博通公司（Broadcom）。
