天奧電子申請DFB鐳射晶片和高Q氮化矽外腔晶片的耦合方法專利，改善了有源晶片與矽基微環晶片在耦合中存在的損耗大與效率低的問題

金融界2024年2月8日訊息，據國家智慧財產權局公告，申請一項名為“一種DFB鐳射晶片和高Q氮化矽外腔晶片的耦合方法“，公開號CN117526084A，申請日期為2023年11月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種DFB鐳射晶片和高Q氮化矽外腔晶片的耦合方法，涉及鐳射技術領域，包括DFB鐳射器和設在DFB鐳射器一側的鍍膜透鏡；鍍膜透鏡的鏡面與DFB鐳射器的鐳射出射處相對設定，用於匯聚與準直鐳射，沿著DFB鐳射器的輸出光軸順次佈置矽透鏡和矽基微環諧振器，矽透鏡的一側與鍍膜透鏡相對，另一側與矽基微環諧振器的入口波導相對，透過調節匯聚準直後的鐳射來將其聚焦到矽基微環諧振器的振腔的輸入波導埠處；透過移動鍍膜透鏡和矽透鏡的位置來調節焦距，進而實現最佳的耦合效率；本發明改善了有源晶片與矽基微環晶片在耦合中存在的損耗大與效率低的問題，在非常緊湊的晶片平臺上同時實現了高輸出功率和窄線寬的功能。

本文源自金融界