ASML首次公開展示High NA EUV光刻機 能造2nm以下晶片

光刻機可以說是晶片工業中最核心的裝置。近日，光刻機巨頭ASML首次在其荷蘭總部向媒體公開展示了最新一代的High NA EUV光刻機，大小等同於一臺雙層巴士，重量高達150噸，組裝起來比卡車還大，需要被分裝在250個單獨的板條箱中進行運輸，裝機時間預計需要250名工程人員、歷時6個月才能安裝完成。

根據爆料顯示，High NA EUV光刻機售價高達3.5億歐元一臺，約合人民幣27億元，它將成為全球三大晶圓製造廠實現2nm以下先進製程大規模量產的必備武器。

2023年12月，Intel已率先拿下了全球首臺High NA EUV光刻機，而臺積電和訂購High NA EUV預計最快2026年到貨。ASML官方社交媒體賬號釋出了Intel的交付照片，光刻機的一部分被放在一個保護箱中。箱身綁著一圈紅絲帶，正準備從其位於荷蘭埃因霍溫的總部發貨。

由於High NA EUV光刻機價格是當前EUV光刻機的兩倍，這也意味著裝置成本將大幅增加。而明年即將量產的2nm依然可以依賴於現有的EUV光刻機來完成，並且成本並不會大幅增加，這也是臺積電、三星不急於匯入High NA EUV光刻機的關鍵。

公開資料顯示，NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標，直接決定了光刻的實際解析度，以及最高能達到的工藝節點。通常來說，金屬間距縮小到30nm以下之後，也就是對應的工藝節點超越5nm，低數值孔徑光刻機的解析度就不夠了，只能使用EUV雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助，這樣不但會大大增加成本，還會降低良品率。因此，更高數值孔徑成為必需了。