IT之家 11 月 4 日訊息，據路透社今日報道，韓國 SK 集團會長崔泰源表示， CEO 黃仁勳要求 SK 海力士提前六個月供應被稱為 HBM4 的下一代高頻寬記憶體晶片。
SK 海力士計劃在 2025 年下半年推出採用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產品，而 16 層堆疊 HBM 稍晚於 2026 年推出。
SK 海力士和臺積電雙方於今年 4 月簽署了合作諒解備忘錄，宣佈將就 HBM 記憶體的基礎裸片加強合作。
今年 7 月，有訊息稱英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯盟”，為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。此外，訊息稱 SK 海力士已經和臺積電達成合作，共同設計和生產 HBM4 系列的部分產品，並計劃 2026 年開始量產；而英偉達提供產品設計。
SK 海力士 10 月 24 日釋出 2024 財年第三季度（截至 2024 年 9 月 30 日）財報，合併收入為 17.5731 萬億韓元（IT之家備註：當前約 908.35 億元人民幣），環比增長 7%、同比增長 94%。
在 DRAM 方面，海力士正在從現有的 HBM3 迅速轉換至 8 層 HBM3E 產品，而且 9 月開始量產的 12 層 HBM3E 產品按原定計劃將在今年第四季度開始供貨。由此，在第三季度 DRAM 總銷售額中佔據 30% 的 HBM 比重預計在今年第四季度達到 40%。
