【太平洋科技快訊】近日，美國麻省理工學院（MIT）的研究團隊成功研發出一種新型的奈米級3D電晶體，重新整理了最小3D電晶體的紀錄。這款電晶體在效能和功能上與現有矽基電晶體不相上下，甚至在某些方面實現了超越。
值得一提的是，電晶體作為電子裝置和積體電路的核心元件，一直面臨著提升效能和擴充套件應用範圍的挑戰。傳統矽基電晶體受“玻爾茲曼暴政”物理定律的限制，無法在低電壓條件下正常工作，這一難題如今被麻省理工學院的團隊攻克。
為了突破這一瓶頸，研究人員採用了由銻化鎵和砷化銦組成的超薄半導體材料，成功研製出新型3D電晶體。這款電晶體在低電壓下仍能高效執行，效能達到當前矽電晶體的頂尖水平。
團隊還將量子隧穿原理融入電晶體的設計中，使電子能夠輕鬆穿越能量勢壘，大幅提升了電晶體開關的靈敏度。此外，他們構建了直徑僅為6奈米的垂直奈米線異質結構，進一步優化了電晶體的尺寸。
經過嚴格測試，這款新型電晶體在狀態切換方面表現出卓越的效能，速度和效率比同類隧穿電晶體提高了20倍。它充分利用量子力學優勢，在極小的空間內實現了低電壓操作和高效能的完美結合。
由於其微小的尺寸，這款電晶體有望在計算機晶片上封裝更多數量，為研製效能更強大、能耗更低、功能更豐富的電子產品奠定基礎。目前，團隊正致力於改進製造工藝，並探索其他3D電晶體設計，以推動技術進步。
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