三星3nm GAA工藝良率提升 小摺疊機型或採用獵戶座2500晶片

【太平洋科技快訊】近日，電子高管透露其第2代3nm GAA(Gate-All-Around)工藝已進入穩定階段，解決了此前在量產方面遇到的困難。這一技術的成熟，為Exynos 2500晶片的廣泛應用奠定了基礎。雖然具體良率比例尚未公佈，但三星已成功解決了3納米制程的良率問題。此前，良率低下一直是制約Exynos 2500發展的主要因素。

Exynos 2500晶片的研發初衷是用於Galaxy S25系列。然而，由於製程良率和效能方面的挑戰，該晶片的應用一度受到限制。如今，隨著問題的解決，Galaxy Z Flip系列(包括Galaxy Z Flip7和Galaxy Z Flip FE)有望率先搭載這款晶片。

在過去，三星晶圓代工事業部和系統LSI事業部之間存在責任推諉現象。為了推動3nm GAA工藝的穩定和發展，雙方現已達成合作協議，將共同努力推進新晶片的商用程序。

開啟APP，閱讀體驗更佳