金融界2025年1月31日訊息，國家智慧財產權局資訊顯示，積體電路製造（上海）有限公司、中芯國際積體電路製造（北京）有限公司申請一項名為“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN 119381369 A，申請日期為2023年7月。
專利摘要顯示，本申請提供半導體結構及其形成方法，所述半導體結構包括：晶片，所述晶片表面依次形成有第一金屬連線結構、第一介質層和第一鈍化層，所述第一金屬連線結構的一部分貫穿所述第一介質層延伸至所述第一鈍化層中且被所述第一鈍化層暴露；第二金屬連線結構，位於所述被所述第一鈍化層暴露的第一金屬連線結構表面，所述第二金屬連線結構的頂面面積大於所述第一金屬連線結構的頂面面積且所述第二金屬連線結構的頂面完全覆蓋所述第一金屬連線結構的頂面；第三金屬連線結構，位於所述第二金屬連線結構的頂面，所述第三金屬連線結構完全位於所述第二金屬連線結構的頂面上。本申請提供一種半導體結構及其形成方法，可以避免晶片中低介電常數材料層破裂。
天眼查資料顯示，中芯國際積體電路製造（上海）有限公司，成立於2000年，位於上海市，是一家以從事計算機、通訊和其他電子裝置製造業為主的企業。企業註冊資本244000萬美元，實繳資本244000萬美元。透過天眼查大資料分析，中芯國際積體電路製造（上海）有限公司共對外投資了4家企業，參與招投標專案119次，智慧財產權方面有商標資訊146條，專利資訊5000條，此外企業還擁有行政許可435個。
本文源自：金融界
作者：情報員
