佳能最快今年交付奈米壓印光刻裝置：可低成本製造5nm晶片，未來目標2nm

去年10月，公佈了採用奈米壓印技術（NIL）的光刻裝置FPA-1200NZ2C，稱為小型半導體制造商生產先進晶片開闢了一條新的途徑。近日，佳能負責新型光刻機開發的高管武石洋明接受了媒體的採訪，表示FPA-1200NZ2C會在2024年至2025年間出貨。

傳統光刻技術是利用光學影象投影的原理，將積體電路的微觀結構轉移到矽晶圓上，而奈米壓印不同於傳統的複雜解決方案，而是類似於印刷技術，直接透過模板進行大量複製，壓印形成圖案。佳能開發奈米壓印技術已經超過15年，嘗試透過一種新的方法，以降低成本、提高能源效率。

據佳能的介紹，奈米壓印光刻裝置的功耗比ASML的EUV光刻裝置降低了90%，同時裝置的投資也能降低至EUV光刻裝置40%的水平。使用新款奈米壓印光刻裝置可以用來製造5nm晶片，未來可以推進到2nm製程節點。佳能表示，奈米壓印光刻裝置並不是用來取代現有的EUV和DUV工具，而是共存。除了能製造邏輯晶片，還能用於製造3D NAND快閃記憶體晶片。

由於目前半導體市場對於光刻裝置的需求很高，佳能可能利用更便宜的裝置和生產成本作為賣點，切入到半導體裝置市場。不過奈米壓印技術與EUV及DUV都不相容，想加入到半導體制造商現有的製造流程會有些複雜。