ASML韓國研發中心2027年引入 High-NA EUV光刻機

ASML韓國公司總裁Lee Woo kyung近期透露，ASML與三星電子的合資研發中心預計將最遲在2027年引入 High-NA 光刻機。

三星電子和ASML去年簽署協議，各自出資1萬億韓元（約54億元人民幣）在韓國設立聯合研發中心。此中心將為雙方工程師提供EUV裝置進行先進半導體研究合作。

對於該研發中心建設進展，Lee Woo kyung稱：“我們在ASML韓國華城園區附近找到新址，明年動工。完工後擬引進 High-NA 裝置，最晚2027年完成。”此次ASML韓國首次透露出研發中心具體選址和引入 High-NA 裝置的時間表。

High-NA EUV 光刻機能實現2奈米以下工藝，使各大廠商爭奪其產能。去年12月訊息，已收到ASML交付的首臺這種裝置。

三星電子已表示2027年計劃生產1.4奈米工藝品。