據《日經新聞》報道,日本NAND Flash大廠鎧俠宣佈,將在未來3年內,投資360億日元(約合人民幣16.75億元),研發面向AI的下一代更省電的記憶體,目標在2030年代前半段實現商業化。而日本政府最高將提供50%的補貼。
鎧俠指出,將研發基於CXL(Compute Express Link)的記憶體,和目前的DRAM相比,更省電;和現有的NAND Flash相比,讀取速度更快。相較於DRAM在電力中斷時、資料就會消失,CXL記憶體即便在斷電時、也能保留大量資料,能降低AI驅動時的耗電量。
雖然目前鎧俠是全球第三大NAND Flash晶片廠商,但是其並沒有像、SK海力士、美光等競爭對手那樣擁有豐富的面向AI的各類DRAM產品,因此鎧俠希望透過研發下一代記憶體來改變目前僅有NAND Flash產品的尷尬局面。
編輯:芯智訊-浪客劍