祝賀！河南大學首篇第一通訊單位《Nature》

基於綠色磷化銦（InP）的量子點發光二極體（QD-LED）仍然存在效率低、使用壽命短的問題，對完全無鎘的QD-LED顯示器和照明構成了嚴峻挑戰。不幸的是，這些限制背後的因素仍然不清楚，因此，沒有明確的裝置工程指南。

來自河南大學、中國科學技術大學等單位的研究人員，透過使用電激勵瞬態吸收光譜，發現最先進的綠色無鎘QD LED（普遍採用InP–ZnSeS–ZnS核-殼-殼結構）的低效率源於ZnSeS夾層，因為它施加了高注入勢壘，限制了電子濃度和陷阱飽和。研究人員從實驗和理論上證明，用加厚的ZnSe中間層代替目前廣泛使用的ZnSeS中間層，可以同時改善電子注入和抑制洩漏，在543 nm發射的綠色InP基QD LED中，在1000 cd m–2的初始亮度下，可以實現26.68%的峰值外量子效率和1241小時的T95壽命（亮度降至初始值95%的時間），分別比之前的最佳值高出1.6倍和165倍。

相關研究成果以“Efficient green InP-based QD-LED by controlling electron injection and leakage”為題在頂級期刊Nature發表。據悉，這是河南大學首次作為第一通訊單位在《自然》期刊發表研究成果。

論文連結：

https://www.nature.com/articles/s41586-024-08197-z

圖1. EETA光譜

圖2. 改善InP QD-LED綠色光量子效率的方法

圖3. 綠色QD-LEDs器件效能

總的來說，本研究揭示了綠色InP基QD-LED效率低下的關鍵原因，並提供了有效的解決方案，同時實現了電子注入提升和電子洩漏抑制，也為高效能QD-LED的設計提供了新思路。

本文來自微信公眾號“材料科學與工程”。