受AI晶片需求刺激，臺積電加速High-NA EUV部署

今年9月，臺積電（TSMC）從ASML手上接收了其首臺High-NA EUV光刻機，移送至自己的全球研發中心進行研究，以滿足A14等未來先進工藝的開發需求。傳聞臺積電董事長兼執行長魏哲家親自與ASML談判並達成了一項協議，透過購買新裝置和出售舊型號相結合的方式，將整體價格降低了近20%。

據TrendForce報道，近期臺積電3nm產能需求旺盛，大量客戶下單使得產能處於滿載狀態，同時即將到來的2nm工藝也受到了客戶的歡迎，臺積電正在考慮繼續擴大2nm產能，滿足以AI晶片為首的增長需求。隨著客戶進一步推動人工智慧業務發展，在市場需求刺激下，臺積電也加快了High-NA EUV光刻機的部署，以便更早地熟悉新技術。

根據臺積電的路線圖，High-NA EUV光刻機將整合到A14 工藝，預計2027年進入量產階段。在此之前，需要進行廣泛的測試、微調和流程最佳化，用於1nm階段的製程工藝中。隨著半導體制造工藝日益複雜，成本也隨著每個製程節點的開發推進而上漲，每臺High-NA EUV光刻機的價格高達3.84億美元。儘管如此，臺積電在技術上的領先有望吸引更多尋找先進晶片製造能力的高階客戶。

有分析師表示，加快High-NA EUV技術的開發可能會擴大臺積電與競爭對手之間的差距，尤其是三星。臺積電在2019年推出了N7+工藝，首次使用了EUV光刻機，當時大概有10臺。臺積電接下來迅速擴大了EUV光刻技術的應用，也購買了更多的裝置，EUV光刻機的銷量從2019年至2023年增長了10倍，而臺積電佔據了其中56%的裝機量。

臺積電在將新技術整合到大批次生產之前，會根據新技術的成熟度、成本和潛在客戶利益進行仔細評估。這是一種系統化，並以客戶為中心的方法，到了High-NA EUV時代也會如此。