SK Hynix 將於 2025 年採用 3 奈米工藝生產 HBM4 晶片

SK 海力士計劃使用臺積電的 3 奈米工藝生產第六代高頻寬記憶體晶片（HBM4），從而改變了最初使用 5 奈米技術的計劃。 據《韓國經濟日報》報道，這些晶片將於 2025 年下半年交付給公司，英偉達的 GPU 產品目前基於 4 奈米 HBM 晶片。

SK Hynix 於 3 月份推出的 HBM4 原型晶片在 3 奈米晶片上實現了垂直堆疊。與 5 奈米基礎晶片相比，基於 3 奈米的新型 HBM 晶片預計將提高 20-30% 的效能。 不過，SK Hynix 的通用 HBM4 和 HBM4E 晶片將繼續使用與臺積電合作的 12 奈米工藝。

雖然 SK Hynix 的第五代 HBM3E 晶片使用的是自己的基礎晶片技術，但該公司已為 HBM4 選擇了臺積電的 3 奈米技術。 預計這一決定將大大拉大與競爭對手三星電子的效能差距，後者計劃使用 4 奈米工藝製造 HBM4 晶片。

SK hynix 目前在全球 HBM 市場處於領先地位，佔有近 50% 的市場份額，其大部分 HBM 產品已交付給英偉達公司（NVIDIA）。