市調機構TrendForce釋出報告紙今年下半年全球儲存芯片價格再次大跌，最高跌幅達到四成，快回到2022年的水平，這讓美日韓的儲存晶片企業大為恐慌，擔憂儲存晶片業務再次陷入鉅虧。
價格跌幅最大的當屬DDR4記憶體，跌幅達到四成，此前就有報道指隨著國產記憶體晶片產能提升，中國儲存晶片再次發起攻勢，DDR4記憶體價格大幅降價搶佔市場，給美日韓儲存晶片企業造成巨大的衝擊。
至於目前逐漸獲得市場的接受DDR5記憶體價格也在下跌，最高跌幅大約為兩成，這方面主要是因為中國的DDR5記憶體產量還較少，暫時還無法大舉搶佔市場。
面對中國儲存晶片企業的搶市，美日韓的儲存晶片企業已出現DDR4記憶體的鉅額庫存，為此他們已逐漸縮減DDR4的產能，而轉向生產DDR5記憶體，確保利潤，避免與中國儲存晶片企業直接競爭。
中國儲存晶片企業也正穩步提升DDR5記憶體的產能，或許中國儲存晶片企業明年就能搶佔更多DDR5記憶體市場，讓美日韓儲存晶片受到更大的衝擊。
不過美日韓儲存晶片還有一個底牌，那就是HBM儲存晶片，這是由他們與NVIDIA聯合制定的標準，目前HBM晶片主要由韓國的和SK海力士以及美國的美光生產，由於技術規格以及NVIDIA的指定，中國儲存晶片暫時還難以生產HBM儲存晶片。
這一幕曾在2022年上演，當時中國的NAND flash儲存晶片首次量產當時最先進的232層晶片，由此中國晶片一舉奪得儲存晶片的技術優勢，迅速降低了NAND flash儲存晶片的價格，推動它的價格腰斬。
2023年上半年韓國的三星、SK海力士和美國的美光均出現收入大跌，甚至美光還曾出現鉅額虧損，給他們造成了沉重打擊。
這讓全球晶片業界震驚，美國隨後出手，阻止日本、荷蘭的晶片裝置和材料廠商給中國的儲存晶片企業供應先進裝置，甚至已投入生產的晶片裝置在損壞後也不許ASML維護，導致中國的儲存晶片技術發展陷入停滯。
2023年美日韓的儲存晶片量產300層NAND flash，他們再次取得技術優勢，加上他們本來就佔有優勢的市場份額，因此聯合抬價，大舉提高儲存晶片的價格。關於操縱儲存芯片價格，其實早有前例，2004年的時候三星就因操縱儲存芯片價格被美國罰款。
美日韓的儲存晶片聯合提價讓中國採購儲存晶片付出了代價，據悉這一年時間中國採購儲存晶片可能增加了900億美元的支出，這也讓美日韓的儲存晶片企業利潤大增。
如今中國的儲存晶片企業依靠國產晶片裝置解決生產技術問題，技術再次取得突破，追上了美日韓的儲存晶片企業，技術和產能得到解決，再次以白菜價搶佔市場，自然讓美日韓的儲存晶片企業驚慌，他們擔憂儲存晶片業務再次陷入虧損當中，而中國的儲存晶片企業成本更低，承受得起價格戰。
