TechInsights 在光威 DDR-6000 UDIMM 模組中發現了 CXMT 的新型 16 nm DRAM 晶片，證實了中國記憶體行業的進步。CXMT 16 Gb DDR5 晶片尺寸為 67 平方毫米，密度為每平方毫米 0.239 Gb。DRAM 單元比 CXMT 之前的 G3 代小 20%。
這是該公司從 23 nm (G1) 和 18 nm (G2) 節點發展而來。儘管取得了這一進步，但 CXMT 在製造能力方面仍落後、SK 海力士和美光約三年。這家總部位於合肥的公司在美國製裁限制某些製造裝置和材料的使用的情況下實現了這一生產里程碑。
TechInsights 在市售記憶體模組中發現了這些晶片，證實 CXMT 已進入 DDR5 量產領域。預計到 2027 年，DDR5 技術將成為主要的 DRAM 標準。三大 DRAM 製造商已經生產了多代 DDR5，DDR5 現在的速度已達到 10000 MT/s。
這是 CXMT 首款進入消費市場的 DDR5 DRAM 產品。這些晶片滿足當前 DDR5 規範的基本相容性要求，這意味著中國記憶體製造業已在其本土實現了“1z”記憶體製造。這是中國半導體行業的第二則重大新聞，此前 TechInsights 還證實長江儲存已開始出貨 292 層 NAND 快閃記憶體。
