長江儲存開始出貨294層第五代NAND快閃記憶體

TechInsights 分析顯示，長江儲存已開始出貨其第五代 3D NAND 儲存晶片，該晶片共有 294 層，有 232 個有效層。新晶片的位密度接近每平方毫米 20 Gb（19.8 Gb/mm²），與 SK Hynix 目前的產品相當，接近 Kioxia/西部資料的最新產品。

長江儲存的設計使用混合鍵合將記憶體陣列與邏輯元件連線起來，這表明中國記憶體製造商已經跟上了其未獲批准的競爭對手使用的封裝標準。該公司選擇低調發布，沒有正式宣佈，這與典型的行業慣例不同，這種低調的做法可能與美國對中國半導體公司的持續貿易限制有關。

雖然 SK Hynix 即將推出的 321 層晶片沒有創下有效層的記錄，但它在該指標上處於領先地位，而長江儲存的總層數所取得的成就表明技術在不斷進步。該晶片採用串堆疊技術，但層陣列的具體配置仍不清楚。

其他規格顯示，新晶片採用長江儲存的 Xtacking 4.0 架構和三級單元 (TLC) 設計。這與主要競爭對手的架構型別相匹配，儘管尚未披露介面速度等詳細效能指標。

第五代 NAND 專注於讓密度走上正軌，預計長江儲存將繼續以同樣的速度發展，與 SK Hynix 的 321 層晶片相匹敵，並在不久的將來用 Xtacking 5.0 超越它。