集微網 （文/陳炳欣）在全球經濟衰退、消費電子市場需求低迷的影響下，儲存器市場已經連續數個季度處於下行狀態，直到2023年第四季度記憶體價格才迎來反彈，儲存廠商開始看到業績復甦的希望。在三星電子、SK海力士、美光科技最新發布的財報中，都對2024年的市場回暖給予了樂觀看待。分析機構認為，儲存市場或將是整個半導體行業中率先上行的一個板塊。
財報樂觀看待2024年市場
三大儲存廠商均已釋出當季財報，儘管業績表現大多差強人意，但是各家均對2024年的市場回暖表達了樂觀。在2023年第四季度，三星電子營收為67.78萬億韓元，環比增長0.6%，同比下降3.8%。其中，儲存業務營收為15.71萬億韓元，環比增長49%，同比增長29%。
三星電子表示，隨著PC和移動裝置單機儲存容量增加，以及IT行業對生成式人工智慧的投資不斷擴大，伺服器需求出現了復甦的跡象，三星電子儲存業務整體市場較上一季度出現復甦。展望2024全年，儘管整個市場仍存在不確定性，但三星電子認為儲存業務將會繼續復甦。
SK海力士2023年第四季度合併收入為11.3055萬億韓元，營業利潤為0.3460萬億韓元，成功實現扭虧為盈。2023年SK海力士的DDR5和HBM3的收入同比分別增長4倍和5倍以上，是公司得以扭虧的重要因素。為此，SK海力士表示，2024年其將繼續順應高效能DRAM需求的增長趨勢，進行用於AI的儲存器HBM3E的量產和HBM4的研發，同時將DDR5和LPDDR5等高效能、高容量產品應用到伺服器和移動端市場。
美光科技釋出的FY2024Q1財報顯示，公司營收47.3億美元，高於市場預期的4.2%，毛利率1%，淨利潤為-10.5億美元，但虧損較上一季度收窄。美光科技認為2024年消費電子市場需求將回升，伴隨AI PC和HBM等需求的帶動，2024年儲存器價格將強勁增長。美光CEO Sanjay Mehrotra對外透露，得益於生成式AI的火爆，推動了雲端高效能AI晶片對HBM的旺盛需求，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。
結合當前半導體市場情況，以及各大儲存廠商的財報表現，分析機構預測半導體週期已經進入觸底反彈階段，2024年半導體整體行業有望迎來進一步修復反彈，其中儲存板塊有望率先上行。集邦諮詢研報顯示，DRAM產品合約價自2021年第四季度開始下跌，連跌8個季度，至2023年第四季度已開始上漲。NAND快閃記憶體合約價自2022年第三季度開始下跌，連跌4個季度，自2023年第三季度起漲。預計這兩類儲存芯片價格在2024年第一季度將上漲18%左右，其中DRAM合約價季漲幅約13%~18%；NAND Flash則是18%-23%。國開證券也表示，終端需求逐步改善，儲存行業將先行復蘇。儲存佔半導體行業比例達20%，作為半導體行業風向標，其景氣回溫釋放一定復甦訊號。
人工智慧帶動作用日趨明顯
新興的AI需求被認為是推動此次儲存行業復甦中關鍵因素。SK海力士在財報中就指出，人工智慧伺服器的需求增加，推動2023年公司ASP上升，HBM3的銷量較上年同期增長了4倍多。2024年SK海力士將繼續大規模生產HBM3E，並開發HBM4等產品，以滿足市場對高效能DRAM日益增長的需求。三星電子也表示，將繼續專注包含HBM3和伺服器SSD等高附加值產品在內的銷售，推動盈利能力不斷改善。
摩根士丹利證券也指出，隨著5G、物聯網等技術普及，AI PC、智慧手機等智慧終端將助力儲存器需求增長。摩根士丹利證券在報告中指出，人工智慧可望改變PC與智慧手機市場，推動儲存器需求爆發。人工智慧還將助力儲存器的潛在市場規模持續擴大，預估AI PC中的DRAM搭載容量將翻倍；下一代智慧手機中的DRAM搭載容量將增加50%以上。到2025年，邊緣AI裝置的DRAM搭載容量將增長6.7%。
有行業專家指出，AI大模型需求將對儲存產業帶來新的變化。通常來說，執行一個端側大模型、在不壓縮模型的前提下，大約需要耗費十幾GB的儲存容量，這顯然就會拉動運存DRAM需求增長。由於處理資料量變大，那麼處理器對記憶體的需求也會提高。與此同時，又會進一步對儲存產品的效能、功耗提出更高要求。當然，在雲端和邊緣端進行模型運算，同樣會對儲存器產生更多需求。
受AI帶動儲存需求影響，三星電子、SK海力士、美光科技在財報中都上調了2024年上半年的產能利用率。三星電子將第一季度的產能利用率從77％上調至81％，第二季度由85％上調至89％；SK海力士第一季度由92％上調至94％，第二季度上調至95％；美光科技第一季度則由95％上調至98％。
積極卡位3D DRAM與超300層NAND開發
為應對AI、移動智慧裝置等新興市場的需求，儲存大廠也紛紛在先進節點、3D DRAM以及高密度快閃記憶體方案之上加大研發的投入力度。
傳統上，DRAM開發主要透過減小線寬提高整合度實現，但隨著線寬進入10nm範圍，電容器電流洩漏和干擾等物理限制顯著增加。受此影響，3D堆疊成為DRAM領域重點研發方向。業界認為，採用3D DRAM結構可以擴大電晶體之間的間隙，減少洩漏電流和干擾等。從理論上看，3D DRAM不僅可以加大儲存容量，提升資料訪問速度，同時還具有低功耗、高可靠性等特點，滿足各種應用場景的需求。
目前，3D DRAM尚處於早期研發階段，三星電子、SK海力士等正在加大投入力度。三星電子從2019年開始3D DRAM的研究，於同年10月宣佈開發出業界首個12層3D-TSV技術。2023年10月，三星電子在“記憶體技術日”活動上宣佈，將在下一代10奈米或更低的DRAM中引入新的3D結構。SK海力士也在2023年提出將IGZO作為3D DRAM的新一代通道材料。IGZO 的最大優勢是其低待機功耗，這種特點適合要求長續航時間的DRAM電晶體。
NAND方面，廠商間的層數之爭也遠未結束。日前，三星電子宣佈開發出新一代V9 QLC NAND達到280層，將於今年量產，儲存密度達每平方毫米28.5Gb，最大傳輸率3.2 Gbps。美光、SK海力士的快閃記憶體層數也均突破200層，其中美光達到232層，儲存密度為每平方毫米19.5Gb，SK海力士達到238層，儲存密度每平方毫米為14.4Gb。
去年8月，SK海力士還對外展示了全球最高層321層NAND快閃記憶體樣品，成為業界首家正在開發300層以上NAND快閃記憶體的公司。該產品計劃於2025年量產。三星電子計劃2030年V-NAND可以疊加到1000多層。鎧俠和西部資料在162層之後，2023年對外展示了218層技術，之後也將研發300層以上的3D NAND產品。
