IT之家2 月 3 日訊息，根據韓媒 The Elec 的報道，DRAM 記憶體巨頭和美光均將在下一個記憶體世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術。
IT之家注：1c nm 世代即第六個 10+ nm 世代，美光也稱之為 1γ nm 工藝。目前最先進的記憶體為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級工藝。
分析機構 TechInsights 高階副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場研討會上表示，美光將在 1c nm 節點率先引入鉬（Mo，讀音 mù）和釕（Ru，讀音 liǎo）。這兩種金屬將作為佈線材料，被用於記憶體的字線和位線中。
鉬和釕的電阻相較於現在應用的鎢（W）更低，可進一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會反應生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個世代引入這兩種金屬。
而在三星這邊，其將進一步擴大 EUV 工藝的應用。三星是三大儲存原廠中首先引入 EUV 的企業，已將其應用至字線和位線等層中，預計在 1c nm 中 EUV 應用將擴充套件至 8-9 層。對於美光，其也將在 1γ nm 節點首次匯入 EUV 光刻。
展望未來 10nm 以下製程，Choi Jeong-dong 表示三大廠商均在研究 3D DRAM 和 4F2 DRAM 等路線以實現進一步微縮，Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不採用電容器的 1T DRAM 等也是可能方向。
