項中專，你知道什麼是物理極限導致的良率塌縮麼？

項中專吹牛皮，說三摺疊是人類最高水平。真丟人。

大批文科偽正能量蜂擁而上，吹捧三摺疊，說比4奈米晶片摺疊到2奈米晶片厲害。笑死人了。

我前文給項中專講解4奈米晶片到2奈米晶片需要克服新的物理規律導致的物理極限。很多偽正能量根本聽不懂。我就講得通俗一點吧。

在7奈米以下工藝，EUV光刻曝光時，開始出現奈米尺度下的隨機缺陷問題。

隨機缺陷是極其罕見但致命的圖形化失敗，例如相鄰線之間的橋接、線斷裂和孔/點圖案缺失，均低於 20 nm 範圍。

由於在 300 毫米的晶圓上甚至在單次曝光視場上形成的曝光特徵超過 1 萬億個，因此需要將隨機缺陷的機率抑制在百萬至十億分之一以下。

這種隨機缺陷誘導良率出現塌縮，比如下圖，EUV光刻曝光某種光刻膠，它在11奈米的時候還可以勉強工作，但是在10奈米的時候直接就報廢了。

項立剛、張維為們哪裡懂這個？