訊息稱三星平澤 P4 一期改為混合產線：DRAM 晶圓月產能 3~4 萬片

IT之家 11 月 8 日訊息，韓媒 ZDNET Korea 昨日報道稱，三星電子內部已於三季度決定調整平澤 P4 製造綜合體一期（Phase 1）的產能分配，從純 NAND 調整為 NAND + DRAM。

這也可從該生產線的內部代號名稱更改中看出來：該產線原名 P4F，尾部的 F 即指 Flash 快閃記憶體；而現名是 P4H，H 是 Hybrid 的簡寫，顯示產線不只支援一個大類的半導體工藝。

▲ 三星平澤園區

平澤 P4一期現已部分進駐 NAND 快閃記憶體生產裝置，三星電子目前計劃到年底將該產線 NAND 生產能力提升至每月 1 萬片晶圓，不過由於市場的不確定性，到明年中才有可能為 V9 QLC NAND 等先進產品作進一步投資。

而在 DRAM 生產部分，平澤 P4一期未來有望具備 3~4 萬片晶圓的月產能，工藝方面則是引入三星目前最為先進的 1a、1b nm（IT之家注：即 14nm 級與 12nm 級），以應對競爭對手的產能擴張，並在三星內部其它 DRAM 產線工藝升級之時保證供應充足。

三星電子平澤 P4 製造綜合體總共包含四期生產線，其中三期 DRAM 產線即將開建，二期 Foundry 代工產線則暫緩。