（文/姜羽桐）AI浪潮洶湧，HBM需求持續激增，(NVIDIA)、臺積電(TSMC)和SK海力士(Hynix)合力推動全球HBM發展的作用愈發顯著，被業界稱為“三角聯盟”。甫入11月，三巨頭互動頻繁，在協作上顯然加快了速度。
先是SK集團透露英偉達CEO要求其將HBM4的供應提前6個月，SK海力士股價應聲大漲；兩天後，市場傳出英偉達同意調漲臺積電3nm與CoWoS封裝價格的訊息。結合SK海力士、臺積電今年4月簽署諒解備忘錄一事，“儲存原廠+AI霸主+晶圓廠”的通力合作，一切都是為了HBM4的更快到來。
著急的黃仁勳，加速的HBM4
儘管首款HBM3E的釋出還不足一年，但是各大廠商未雨綢繆，已將新一代高頻寬記憶體HBM4提上了日程。相比HBM3E，HBM4提供雙倍通道寬度，資料傳輸速度和效能均有顯著提升。HBM3E堆疊了12個DRAM晶片，支援24GB和32GB的容量，而HBM4可以堆疊16個DRAM晶片，支援64GB容量。
韓國SK集團會長崔泰源4日在“SK AI Summit 2024”發表主題演講時，強調與臺積電和英偉達的三方合作關係，表示將與兩家晶片巨頭攜手打造全球人工智慧晶片產業供應鏈，共同克服AI發展過程的瓶頸。活動中，臺積電董事長魏哲家、英偉達CEO黃仁勳也在預先錄製的影片中發表賀詞，黃仁勳更是大讚SK海力士的HBM，稱其使“超級摩爾定律”（super Moores Law）成為可能。
圖/SK集團會長崔泰源
峰會上，崔泰源還介紹SK海力士計劃2025下半年推出首批12層堆疊的HBM4，16層堆疊的HBM4將會在2026年推出。但另一方面，崔泰源透露“黃仁勳在最近的一次會議上要求SK海力士提前6個月供應HBM4”的訊息，或有公開喊話英偉達給予更多支援的意思。
一石激起千層浪。SK海力士自今年3月開始為英偉達供應第五代HBM產品(HBM3E)開始，就一直保持領先業界的研發速度。HBM的歷史發展與技術趨勢無需贅言，而SK海力士依託HBM對市場形成的強大統治力值得再提——市場調研機構TrendForce資料顯示，SK海力士去年以53%的份額領先遙遙領先HBM市場，其次是三星電子的38%和美光科技的9%。
為鞏固優勢，SK海力士加緊開發HBM4的同時，還在今年4月與臺積電簽署合作諒解備忘錄，計劃合作生產HBM4，並透過先進的封裝技術提高邏輯和HBM的整合度。兩家公司將首先致力於提高安裝在HBM封裝最底部的基礎晶片的效能，併合作最佳化SK海力士的HBM和臺積電的CoWoS技術的整合，合作應對客戶對HBM的共同要求。臺積電不僅向英偉達提供先進AI GPU的代工，還負責AI GPU和HBM記憶體間的CoWoS先進封裝，是英偉達驗證稽核過程的重要參與者。
在週一，SK海力士還透露了下代產品的最新進展——更先進的HBM5計劃在2028年~2030年推出。SK海力士CEO郭魯正表示，正與晶圓代工廠合作，致力於改進基礎裸片(Base Die)效能，降低功耗。他還強調，秉持“一個團隊(One Team)”協作精神。這些舉措，顯然是為了鞏固其在HBM領域的地位。
英偉達急推“Rubin”，R100嚐鮮
英偉達登上“AI霸主”寶座後，有一個幸福的煩惱，就是如何坐穩天下。黃仁勳此次親自下場，催促SK海力士加快HBM4的交貨速度，到底在急什麼？
目前，人工智慧產業“井噴式需求”，促使英偉達在內的AI巨頭紛紛提速。據不完全統計，英偉達目前在全球資料中心AI晶片市場佔據80%-90%的份額，預計AMD佔比接近10%，其他份額則為谷歌TPU、亞馬遜自研ASIC等大廠自研AI晶片。
龐大的市場份額，是臺積電衝鋒在前，“累死累活”為英偉達擴大Blackwell AI GPU產能換來的。避免後繼乏力，英偉達也必須以更快速度推出效能更高、儲存容量更龐大、推理效率更強大且更加節能的下一代AI GPU的研發程序。
因此，英偉達和黃仁勳眼下焦急的“跟腳”，自然而然落在了下一代AI GPU架構——“Rubin”。
依據此前報道，英偉達原計劃今年底推出Blackwell平臺的B200與GB200晶片，2025年推出Blackwell Ultra晶片（B300或GB300），2026年推出“Rubin”平臺的R100晶片，預計Rubin AI GPU將搭載HBM4儲存系統。
業界人士指出，英偉達最新Blackwell平臺近期才開始量產，高階款GB200 NVL72機櫃平均單價（ASP）約300萬美元；Rubin為Blackwell下一代平臺，其相關機櫃單價預期將輕鬆突破300萬美元。
黃仁勳如此急迫地想要推出“Rubin”，或許也意味著英偉達下一代AI晶片亦將提前半年(2025年?)問世，R100晶片亦有望最先搭載HBM4，趕在競爭對手之前“瘋狂吸金”。
臺積電漲價，更穩固的地位
有訊息稱，臺積電已取得英偉達同意，將在2025年調漲價格。其中3nm製程價格最多可能上漲5％，CoWoS封裝價格漲幅約在10％～20％，實際漲幅將視臺積電產能增幅而定。
雙方很可能經過了複雜的溝通。今年早些時候，魏哲家就在股東會暗示有意調漲AI晶片代工價格，想要體現“價值”。黃仁勳隨即回應，認可臺積電股價太委曲，支援提價。但9月份，黃仁勳出席活動時亦公開表示：“英偉達高度仰賴臺積電代工最重要的晶片，但若有需要，我們還是可以考慮其他選擇。”黃仁勳這番表態，大有效仿蘋果扶持第二供應鏈之嫌，試圖制衡臺積電漲價，只是收效甚微。
隨著AI爆炸性增長，英偉達、AMD等AI大廠大多依賴臺積電3nm製程和CoWoS工藝，炙手可熱又無比緊缺的HBM成為AI晶片大規模量產的痛苦根源，臺積電針對先進工藝製程醞釀漲價的心思也就順理成章。魏哲家表示，儘管公司今年較2023年全力增加超過兩倍的CoWoS先進封裝產能，但仍供不應求。
臺積電能夠順利漲價，除了產能緊俏引導價格上漲外，恐怕也有英偉達獲取更多CoWoS產能，從而積極配合的原因。畢竟CoWoS的市場需求中，英偉達佔整體供應量的比重已超過50%，英偉達多吃一口，人家就少吃一口。
令人好奇的是，臺積電作為“三角聯盟”的關鍵核心，就連昔日代工對手三星也要尋求合作，其在AI晶片領域的地位可見一斑。而當HBM4即將登臺之際，臺積電的影響力似乎更是急劇擴大了，到底為何？有訊息顯示——
1、過去最底層的基礎裸片由儲存廠主導，但如今HBM時代的連線效能由客戶主導，定製化的HBM無法在不同客戶間共用；
2、在客戶指定下，HBM定製化至系統段的效率關鍵，是將HBM的基礎裸晶從儲存製程改成邏輯製程，因此改由晶圓廠一條龍製造，變成儲存大廠必須釋出裸晶製程委外給晶圓代工廠與相關設計廠。
SK海力士官網訊息亦有所驗證——“SK海力士以往的HBM產品，包括HBM3E都是基於自身製程工藝製造基礎裸片，但從HBM4產品開始計劃採用臺積電的先進邏輯(Logic)工藝。”
簡而言之，HBM4的時代，將採用基於邏輯製程的基礎晶片，客戶可以加入自己的IP，以實現定製化，提升HBM的效率。而對於該邏輯製程的基礎晶片，三星和SK海力士都將允許客戶自行設計，並可選擇外部的邏輯製程晶圓代工廠來生產。
HBM4時代，臺積電的地位毫無疑問更穩固、更強大了。
