快科技11月18日訊息，Intel最近釋出了至強6資料中心處理器率先應用MRDIMM(多路複用雙列直插式記憶體模組)新型記憶體，以即插即用的方式大幅提升效能。
傳統上，廣泛應用的RDIMM（寄存式雙列直插式記憶體模組）與處理器類似，均內建並行資源，但兩者在資源利用方式上存在差異。RDIMM雖允許獨立儲存與資料訪問在多個記憶體陣列間進行，卻未能實現這一過程的同步化。
面對這一挑戰，Intel工程師創造性地提出了一項解決方案：在DRAM模組上整合多路複用器，使得資料能夠同時在兩個記憶體陣列間進行高效傳輸。這一創新設計打破了傳統限制，開啟了記憶體訪問的新紀元。
多路複用緩衝器的引入，進一步優化了MRDIMM的電力負載管理，從而促使介面速度相較於RDIMM實現了顯著提升。得益於能夠同時並行訪問兩個記憶體陣列，MRDIMM的頻寬也隨之翻倍，帶來了前所未有的效能提升。
Intel此番推出的MRDIMM技術，成功鑄就了其歷史上最快的系統記憶體，峰值頻寬從6400MT/s大幅躍升至8800MT/s，提升幅度接近40%。這一顯著進步，在過去往往需要經過多次產品迭代方能實現，而今卻在一夜之間成為現實。
MRDIMM的另一大亮點在於其卓越的易用性。該技術完美相容常規RDIMM的聯結器和外形規格，僅需將小型多路複用晶片安裝於先前模組上的空閒位置，即可輕鬆實現升級，無需對主機板進行任何改動。
此外，MRDIMM還全面繼承了RDIMM的糾錯機制及RAS（可靠性、可用性和可維護性）功能，確保無論資料緩衝區中產生何種複雜的獨立多路複用請求，都能有效維護資料的完整性與準確性。這一系列優勢，無疑為MRDIMM技術在資料中心領域的廣泛應用奠定了堅實的基礎。
