SK 海力士宣佈量產 321 層 1Tb TLC 4D NAND 快閃記憶體

IT之家 11 月 21 日訊息，SK 海力士剛剛宣佈開始量產全球最高的 321 層 1Tb（太位元，與 TB 太位元組不同）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 快閃記憶體。

據介紹，此 321 層產品與上一代相比資料傳輸速度和讀取效能分別提高了 12% 和 13%，並且資料讀取能效也提高 10% 以上。

SK 海力士表示：“公司從 2023 年 6 月量產當前最高的上一代 238 層 NAND 快閃記憶體產品，並供應於市場，此次又率先推出了超過 300 層的 NAND 快閃記憶體，突破了技術界限。計劃從明年上半年起向客戶提供 321 層產品，由此應對市場需求。”

據介紹，SK 海力士在此次產品開發過程中採用了高效的“3-Plug”工藝技術，克服了堆疊侷限。

IT之家查詢獲悉，該技術分三次進行通孔工藝流程，隨後經過最佳化的後續工藝將 3 個通孔進行電氣連線。在其過程中開發出了低變形材料，引進了通孔間自動排列（Alignment）矯正技術。

此外，SK 海力士技術團隊也將上一代 238 層 NAND 快閃記憶體的開發平臺應用於 321 層，由此最大限度地減少了工藝變化，與上一代相比，其生產效率提升了 59%。