華為技術申請氮化鎵基鐳射器相關專利，提升氮化鎵基鐳射器的調製頻寬

金融界2024年12月2日訊息，國家智慧財產權局資訊顯示，申請一項名為“一種氮化鎵基鐳射器和相關裝置”的專利，公開號 CN 119050811 A，申請日期為2023年5月。

專利摘要顯示，本申請實 施例公開了一種氮化 鎵基鐳射器和相關設 備，用於提升氮化鎵 基鐳射器的調製帶 寬。本申請實施例提 供的氮化鎵基鐳射器 包括有源區、N型層和 P型層。N型層用於向 有源區提供電子。P型層用於向有源區提供空穴。有源區用於實 現空穴和電子的複合，發出鐳射。鐳射器還包括電勢平衡層，電 勢平衡層為P型摻雜結構，電勢平衡層位於有源區的P側，且與 有源區之間的距離小於或等於70nm。電勢平衡層用於調節鐳射 器的耗盡區位置，使得鐳射器的耗盡區與有源區重合。

本文源自：金融界

作者：情報員