12月4日訊息，據《韓國經濟新聞》報道稱，傳聞韓國儲存晶片大廠SK海力士（SK Hynix）應重要客戶的要求，將於2025年下半以臺積電3nm製程為客戶生產定製化的第六代高頻寬記憶體HBM4。
報道稱，訊息人士透露，SK海力士已決定與臺積電合作，最快明年3月就會發布一款採用臺積電3nm製程生產的基礎裸片（base die）的垂直堆疊HBM4原型，而主要出貨的客戶是（NVIDIA）。
HBM3E及之前的HBM都是採用DRAM製程的基礎裸片（Base Die），但是HBM4則會將DRAM Base Die 改成Logic Base Die，以推動效能和能效進一步提升。具體來說，這個Logic Base die是連線AI加速器內部圖形處理單元（GPU）和DRAM的必備元件，位於DRAM的底部，主要充當GPU和記憶體之間的一種控制器，並且這個Logic Base Die與之前的Base Die不同，它可以讓客戶自行設計，可以加入客戶自己的IP，有利於HBM實現定製化，從而讓資料處理更為高效。預計可以將功耗大幅降低至之前的30%。
根據現有的訊息來看，SK海力士會將其HBM4的base die交由臺積電3nm製程製造，有望相比之前的傳聞的5nm製程帶來20-30%的提升。而三星的HBM4的base die此前傳聞將會採用4nm製程製造，這也意味著SK海力士的HBM4可能將會比三星更具優勢。
不過，據爆料人士@Jukanlosreve 於11月3日透過社交平臺X指出，SK海力士之所以改為採用臺積電3nm製程來製造HBM4 Base Die ，是為了應對三星以4nm來生產HBM4 Base Die 的宣告。結果，三星現在也考慮以3nm生產HBM4 Base Die ，甚至可能選用臺積電的3nm製程。
編輯：芯智訊-浪客劍
