作為領先的半導體制造公司，臺積電積極致力於提高其即將推出的節點的效率，即使這些節點已經定型並準備進行大批次生產。 據一位名為Dr. Kim on X的臺積電員工稱，最近的 2 奈米 N2 節點試執行顯示，與基準預期相比，生產良率提高了 6%。臺積電方面表示，當 2025 年底開始量產時，這一進步將為公司客戶節省大量成本。
不過，關於是在 SRAM 還是邏輯測試晶片上實現收益的具體細節仍未披露。 在臺積電準備於 1 月份推出 2 奈米技術穿梭測試晶圓服務之際，這一時機尤其值得注意。
根據臺積電的預測，採用 N2 工藝製造的晶片功耗將降低 25-30%，同時保持與 N3E 節點相同的電晶體數量和頻率。 此外，該技術的效能有望提高 10-15%，電晶體密度提高 15%。
N2 工藝的一項關鍵創新是增強了 GAA 奈米片電晶體的設計，與 3 nm FinFET 電晶體相比，由於柵極可以從四面進行控制，因此靜電控制得到了改善，柵極漏電也有所減少。
這一進步透過更好的閾值電壓調節能力，使更小的高密度電晶體也能保持可靠的效能。 距離全面量產開始還有大約七到八個月的時間，公司還有大量的時間來進一步最佳化製造工藝，並有可能實現更多的良品率改進，儘管這種可能性較小。
