中芯國際申請快閃記憶體結構及其形成方法專利，提高所形成的快閃記憶體結構的擦除效率

金融界2024年12月5日訊息，國家智慧財產權局資訊顯示，積體電路製造(北京)有限公司、中芯國際積體電路製造(上海)有限公司申請一項名為“快閃記憶體結構及其形成方法”的專利，公開號 CN 119072125 A，申請日期為2023年6月。

專利摘要顯示，一種快閃記憶體結構及其形成方法，其中結構包括：襯底；位於所述襯底上的相互分立的兩個儲存柵結構，所述兩個儲存柵結構之間具有開口，各儲存柵結構包括浮柵、位於所述浮柵上的控制柵結構，所述控制柵結構包括控制柵介質層和位於所述控制柵介質層上的控制柵，各所述浮柵包括沿所述襯底表面法線方向層疊的N個浮柵區，所述N個浮柵區中的第i+1浮柵區位於第i浮柵區表面，且第i浮柵區側壁相對於第i+1浮柵區的側壁凸出，其中，N為大於等於2的自然數，i為大於等於1且小於N的自然數；位於所述開口內的擦除柵結構；分別位於所述儲存柵結構和擦除柵結構兩側的字線結構，提高所形成的快閃記憶體結構的擦除效率。

本文源自：金融界

作者：情報員