中芯國際申請半導體結構及其形成方法專利，臺階阻擋溶液避免損傷待連線結構

金融界2024年12月5日訊息，國家智慧財產權局資訊顯示，積體電路製造（上海）有限公司申請一項名為“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN 119069456 A，申請日期為2023年6月。

專利摘要顯示，一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括基底；待連線結構，位於基底上；互連結構，位於待連線結構的頂部，互連結構包括底部互連結構、以及位於底部互連結構上的頂部互連結構，沿垂直於互連結構側壁的方向，頂部互連結構的寬度小於底部互連結構的寬度；介質層，位於互連結構側部的基底上，並覆蓋互連結構的側壁。本發明的頂部互連結構和底部互連結構的交界處形成有臺階，該臺階對後續工藝製程中的溶液起到了阻擋作用，從而使得後續工藝製程中的溶液不易對待連線結構造成損傷。

本文源自：金融界

作者：情報員