美光介紹HBM4E開發情況：採用可定製的基礎晶片，提高效能並提供更多功能

為應對用於人工智慧（AI）的半導體需求的大幅度增長，SK海力士、、以及美光都加大了在高頻寬記憶體（HBM）領域的開發力度，加速推進第六代HBM產品的開發，也就是HBM4。隨著HBM代際更迭週期加快，第七代HBM產品HBM4E的開發也提上了日程。

近日，美光就分享了最新的HBM4和HBM4E的開發情況。其中HBM4有望在2026年量產，HBM4E也會在2027年至2028年之間到來。除了提供更高的資料傳輸速度外，HBM4E還將採用可定製的基礎晶片，這標誌著行業的正規化轉變。

美光總裁兼執行長Sanjay Mehrotra表示：“HBM4E將帶來儲存器業務的正規化轉變，採用了臺積電先進的邏輯代工製造工藝，為某些客戶定製邏輯基礎晶片。我們預計這種定製功能將推動美光財務業績的改善。”

暫時還不清楚美光的基礎晶片設計，除了基本的功能外，可能還會有增強的快取、為特定應用程式（AI、HPC、網路等）量身定製的自定義介面協議、記憶體到記憶體傳輸功能、可變介面寬度、高階電壓縮放和供電控制，以及自定義ECC和/或安全性演算法等。由於涉及到標準方面的問題，尚不清楚JEDEC標準是否支援此類定製。

美光表示HBM4E的開發工作順利，已經與多個客戶進行合作，可以預期會採用不同的基礎晶片和配置，實現可定製設計。同時美光的HBM4E可能還支援Marvell的定製HBM計算架構，以便更好地定製各種XPU和HBM解決方案。

此外，美光的HBM4將採用1bnm（第五代10nm級別）工藝製造，預計用於英偉達Rubin和AMD Instinct MI400系列GPU，不過競爭對手SK海力士和三星都更傾向於採用更為先進的1cnm（第六代10nm級別）工藝。