IT之家 1 月 27 日訊息，原子能資訊實驗室近日釋出預告，表示將出席 1 月 31 日開幕的 2024 年美國西部光電博覽會，發表兩篇關於其 microLED 技術進展的論文，介紹如何製造資料速率密度更高的 LED 矩陣，以及如何減少小尺寸 LED 的效率損失。
在《使用 CMOS 相容方法與 InGaN / GaN 微型 LED 進行並行通訊》論文中，原子能資訊實驗室將介紹如何直接在 200 毫米矽基板上製造 LED，為生產由專用 CMOS 電路獨立控制、幾微米級別的 LED 矩陣鋪平了道路。
InGaN / GaN 微型發光二極體因其堅固耐用、大規模可用性和達到 GHz 級頻寬的能力，成為實現高資料速率光通訊的有力候選器件。
LED 陣列使用 InGaN / GaN 微型發光二極體，可以實現大規模並行傳輸，從而達到高資料速率密度。
原子能資訊實驗室還研發出一種將 GaN LED 矩陣整合到 CMOS ASIC 上的專利工藝，透過將微型 LED 直接粘接在 200 毫米矽晶片上，並使用氮化鎵基器件作為發射器和快速光電探測器，優化了微型 LED 的整合度。
另一項論文名為《在藍寶石、獨立 GaN 和矽上，InGaN 量子阱厚度對其載流擴散長度的影響》。
該機構表示：“我們透過實驗證明，可以透過減小 InGaN 量子阱的厚度來減少擴散長度。此外，我們還展示了在大型量子阱中觀察到的與功率相關的、意想不到的擴散行為，這可能有助於我們理解發射器的物理學原理。”
IT之家附上論文參考地址
