臺積電或2030年才採用High-NA EUV光刻機，用於製造1nm晶片

去年末，ASML向交付了業界首臺High-NA EUV光刻機。這是具有高數值孔徑（High-NA）和每小時生產超過200片晶圓的極紫外光（EUV）大批次生產系統，提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高解析度的圖案化，以實現更小的電晶體特徵。

英特爾打算在Intel 18A製程節點引入High-NA EUV光刻技術，這意味著大概在2026年至2027年之間開始啟用新裝置。事實上，臺積電（TSMC）和都已表示會採購High-NA EUV光刻機，用於研發未來新的半導體工藝，不過沒有設定任何的時間表。

據DigiTimes報道，來自於晶圓廠工具製造商的訊息證實，臺積電要等到1nm製程節點才會使用High-NA EUV光刻機，可能是出於對成本的考慮。根據臺積電之前公佈的路線圖，1.4nm級A14工藝的推出時間大概在2027年至2028年之間，而1nm級A10工藝的開發預計會在2030年前完成。

此前ASML首次財務官Roger Dassen在接受採訪時表示，High-NA EUV光刻機可以避免製造上雙重或四重曝光帶來的複雜性，在邏輯和儲存晶片方面是最具成本效益的解決方案。顯然並不是所有的晶片製造商都像英特爾那樣急於將High-NA EUV光刻機用於晶片的量產，表面上可以降低總體成本，但畢竟現有的EUV光刻機也可以雙重成像技術實現相同的效果。

由於計劃會根據現有技術的表現以及其他市場因素而改變，所以臺積電最後也可能會改變引入High-NA EUV光刻技術的時間點。